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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFU610F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU610F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | BFU610F |
BFU610F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 11 January 2011
2 of 12
NXP Semiconductors
BFU610F
NPN wideband silicon RF transistor
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
h
FE
[1]
T
sp
is the temperature at the solder point of the emitter lead.
G
p(max)
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
p(max)
= Maximum Stable Gain (MSG).
[2]
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
4
3. Ordering information
Table 3.
Type number
Quick reference data
Parameter
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
total power dissipation
DC current gain
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
2
-
135
Max
16
5.5
2.5
10
136
180
Unit
V
V
V
mA
mW
T
sp
≤
90
°
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
°
C
V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
[1]
-
90
C
CBS
collector-base
capacitance
transition frequency
-
19
-
fF
f
T
I
C
= 4 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 2 V;
f = 5.8 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 2 V;
f = 5.8 GHz;
Γ
S
=
Γ
opt
;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 1.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω
;
f = 5.8 GHz; T
amb
= 25
°
C
-
15
-
GHz
G
p(max)
maximum power gain
[2]
-
17.0
-
dB
NF
noise figure
-
1.7
-
dB
P
L(1dB)
output power at 1 dB
gain compression
-
3
-
dBm
Discrete pinning
Description
emitter
base
emitter
collector
Simplified outline
Graphic symbol
1
2
3
4
mbb159
4
1, 3
2
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted flat pack package; reverse
pinning; 4 leads
Version
SOT343F
BFU610F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU610F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 15GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU610F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU630F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
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