- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378416 > BFU610F (NXP Semiconductors N.V.) NPN wideband silicon RF transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BFU610F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU610F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | BFU610F |
BFU610F
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 11 January 2011
5 of 12
NXP Semiconductors
BFU610F
NPN wideband silicon RF transistor
[1]
G
p(max)
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
p(max)
= MSG.
IP3
third-order intercept point
I
C
= 10 mA; V
CE
= 1.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω
; T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
-
-
-
-
14.5
15
15
18
-
-
-
-
dBm
dBm
dBm
dBm
Table 7.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min Typ
Max
Unit
T
amb
= 25
°
C.
(1) I
B
= 60
μ
A
(2) I
B
= 50
μ
A
(3) I
B
= 40
μ
A
(4) I
B
= 30
μ
A
(5) I
B
= 20
μ
A
(6) I
B
= 10
μ
A
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
Fig 3.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0
5
4
2
3
1
001aam803
4
6
2
8
10
I
C
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
I
C
(mA)
0
10
8
4
6
2
001aam804
100
50
150
200
h
FE
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU610F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU610F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU630F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。