參數(shù)資料
型號(hào)： BFT25
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 2 GHz wideband transistor
封裝： BFT25<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 204K
代理商： BFT25
DATA SHEET
Product specification
November 1992
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFT25
NPN 2 GHz wideband transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFT33A NPN SILICON TRANSISTOR
BFT36A PNP SILICON TRANSISTOR
BFT53 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BFT60 Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO39 Metal Package
BFT80 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFT25 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
BFT25/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFT25215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 5V 2.3GHZ
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