參數(shù)資料
型號(hào)： BFT19A
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： BFT19A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX66B TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66
BUX66C DUAL HIGH SIDE SWITCH WITH DUAL POWER MOS GATE DRIVER (BRIDGE CONFIGURATION)
BFT28B TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BUX16B HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
RCA1B05 TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFT19B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BFT25 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2GHz W/B Transistor,5V,6.5mA,BFT25
BFT25 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*