參數(shù)資料
型號: BFS540
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 振蕩器
英文描述: NPN 9 GHz wideband transistor
封裝: BFS540<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁數(shù): 4/13頁
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代理商: BFS540
2000 May 30
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540
Fig.2 Power derating curve.
V
CE
10 V.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
MRC008 - 1
150
Ts(
o
C)
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 8 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
2
50
100
150
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
hFE
MRC010
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
MRC001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2
4
6
8
10
12
(pF)
CB
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MRC002
0
4
8
1
10
10
2
CE
4 V
fT
(GHz)
IC(mA)
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BFS540,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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