型號: | BFS18TRL13 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 49K |
代理商: | BFS18TRL13 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BFS19TRL13 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BFW41 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
BGA-357-01-G-16 | BGA357, IC SOCKET |
BGA-400-01-T-20 | BGA400, IC SOCKET |
BGA-357-01-T-20 | BGA357, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BFS19 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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BFS19 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |