參數(shù)資料
型號： BFR93AW
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商： BFR93AW
1995 Sep 18
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
15
12
2
35
300
+150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
up to T
s
= 93
C; see Fig.2; note 1
Fig.2 Power derating curve.
0
50
100
200
200
0
MLB540
150
Ts
o
Ptot
(mW)
300
400
100
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and Thermal characteristics
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 93
C; note 1
190
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR93AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93A NPN 6 GHz wideband transistor
BFR93A NPN 6 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
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BFR93AW,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR93AW,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR93AW 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
BFR93AW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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