參數(shù)資料
型號： BFR93A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
封裝： BFR93A<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93A<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 2/13頁
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代理商： BFR93A
1997 Oct 29
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFR93A
FEATURES
High power gain
Low noise figure
Very low intermodulation distortion.
APPLICATIONS
RF wideband amplifiers and
oscillators.
DESCRIPTION
NPN wideband transistor in a plastic
SOT23 package.
PNP complement: BFT93.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 SOT23.
lfpage
MSB003
Top view
1
2
3
Marking code:
R2p.
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
0.6
6
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral power gain I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz; T
amb
= 25
C 13
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C 7
noise figure
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
s
=
opt
;
T
amb
= 25
C
output voltage
d
im
=
60 dB; I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V;
R
L
= 75
; T
amb
= 25
C;
f
p
+ f
q
f
r
= 793.25 MHz
open emitter
open base
15
12
35
300
V
V
mA
mW
pF
GHz
dB
dB
dB
T
s
95
C
I
C
= 0; V
CE
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V; f = 500 MHz
F
1.9
V
O
425
mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
15
12
2
35
300
+150
+175
V
V
V
mA
mW
C
C
T
s
95
C; note 1
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PDF描述
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