參數(shù)資料
型號(hào)： BFR92AW
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商： BFR92AW
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C (unless otherwise specified).
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral power
gain; note 1
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 500 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V;
f = 1 GHz;
Γ
s
=
Γ
opt
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V;
f = 2 GHz;
Γ
s
=
Γ
opt
65
3.5
90
0.6
0.9
0.35
5
14
50
135
nA
pF
pF
pF
GHz
dB
8
dB
F
noise figure
2
dB
3
dB
G
UM
10
s
)
1
2
1
s
11
–
(
s
22
2
–
(
)
------------------------------------------------------------ dB.
log
=
Rev. 03 - 12 March 2008
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AR NPN 6 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR92AW /T3 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R
BFR92AW,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
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