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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFR90 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管（集電極電流30mA的，射頻放大器應(yīng)用的npn型平面型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | BFR90 |
BFR90
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
6 (9)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85028
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
12845
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
8
16
24
32
40
I
C
– Collector Current ( mA )
12886
f
T
V
CE
=10V
f=500MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
12887
C
c
f=1MHz
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
5
10
15
20
25
30
I
C
– Collector Current ( mA )
12888
F
V
CE
=10V
f=800MHz
Z
S
=50
Figure 4. Noise Figure vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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