參數(shù)資料
型號： BFR520
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520
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代理商： BFR520
BFR520
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Product data sheet
Rev. 4 — 13 September 2011
10 of 14
NXP Semiconductors
BFR520
NPN 9 GHz wideband transistor
8. Package outline
Fig 17. Package outline SOT23 (TO-236AB).
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR540 NPN 9 GHz wideband transistor
BFR540 NPN 9 GHz wideband transistor
BFR540 NPN 9 GHz wideband transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR520,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR520,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3
BFR520,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR520 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
BFR520.215 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package
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