參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ81
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管（集電極電流30mA的，射頻放大器應(yīng)用的npn型平面型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： BFQ81
BFQ81
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (10)
Document Number 85023
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
RF amplifier up to 2 GHz, especially for mobile telephone.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
Low cross modulation
2
3
1
94 9280
BFQ81 Marking: RA
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581–2
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
25
16
2
30
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR182T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流35mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR182T Silicon NPN Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ81-GS08 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ82 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz. Linear broadband applications at collector currents up to 40 mA.)
BFQP-BNN 制造商:Amphenol Audio 功能描述:
BFR 制造商:ITT 制造商全稱(chēng):ITT Industries 功能描述:Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
BFR 106 E6327 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*