參數(shù)資料
型號: BFQ67W
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 8 GHz wideband transistor
封裝: BFQ67W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFQ67W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商: BFQ67W
September 1995
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67W
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
MRC045- 1
150
Ts(
o
C)
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 5 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
20
40
MBB301
60
IC
FE
h
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
0
0.2
0.4
0.6
0
4
8
12
MRC039
(pF)
VCB
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
T
0
10
20
40
8
6
2
0
4
MBB303
30
IC
(GHz)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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