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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFQ252A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP video transistors |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | BFQ252A |
1997 Oct 02
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP video transistors
BFQ252; BFQ252A
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
BFQ252
BFQ252A
collector-emitter breakdown voltage I
C
=
10 mA; I
B
= 0
BFQ252
BFQ252A
collector-emitter breakdown voltage I
C
=
10 mA; R
BE
= 100
BFQ252
BFQ252A
emitter-base breakdown voltage
collector-emitter cut-off current
collector-base cut-off current
DC current gain
I
C
=
0.1 mA; I
E
= 0
100
115
V
V
V
(BR)CEO
65
95
V
V
V
(BR)CER
95
110
3
20
30
100
20
V
V
V
μ
A
μ
A
V
(BR)EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
I
E
=
0.1 mA; I
C
= 0
I
B
= 0; V
CE
=
50 V
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
T
amb
= 25
°
C; see Fig.4
I
C
= i
c
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz;
T
amb
= 25
°
C; see Fig.5
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C; see Fig.6
C
cb
collector-base capacitance
2.5
pF
f
T
transition frequency
BFQ252
BFQ252A
1
0.8
1.3
1.2
GHz
GHz
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
IC
(mA)
MBB893
0
300
200
0
20
40
60
100
80
VCEO (V)
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
Ts (
o
C)
0
50
100
200
2
0
MBB895
150
3
1
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