參數(shù)資料
型號(hào): BFQ19
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 5 GHz wideband transistor
封裝: BFQ19<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 226K
代理商: BFQ19
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFQ19
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
120
MBB774
80
IC
hFE
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(pF)
0
5
10
20
0
4
MBB830
15
3
2
1
VCB(V)
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 10 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
T
0
40
80
6
2
0
4
MBB773
120
IC
(GHz)
f
Rev. 03 - 28 September 2007
4 of 7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ19 NPN 5 GHz wideband transistor
BFQ540 NPN wideband transistor
BFQ540 NPN wideband transistor
BFQ591 NPN 7 GHz wideband transistor
BFQ591 NPN 7 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ19,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 100mA 5.5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ19,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFQ19 Series 15 V 1 W 5 GHz Wideband NPN Transistor - SOT89
BFQ19 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-89
BFQ19/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
bfq19115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: