參數(shù)資料
型號： BFQ149
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP 5 GHz wideband transistor
封裝： BFQ149<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 227K
代理商： BFQ149
NXP
Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFQ149
Fig.2
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
MEA328
0
20
0
3
10
2
1
VCB(V)
Fig.3
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
=
10 V; f = 500 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
f
0
50
100
6
2
0
4
MBB347
(GHz)
T
IC
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
=
10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MBB345
0
60
20
0
100
200
FE
h
40
I C
Fig.5
Maximum unilateral power gain as a
function of frequency.
I
c
=
50 mA; V
CE
=
10 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
GUM
(dB)
0
20
30
10
MEA329
10
2
10
3
10
4
10
f (MHz)
Rev. 03 - 28 September 2007
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