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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ149 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 新型場效應晶體管 |
| 英文描述： | PNP 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFQ149<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 227K |
| 代理商： | BFQ149 |
NXP
Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFQ149
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT89 envelope.
It is intended for use in
UHF applications such as broadband
aerial amplifiers (30 to 860 MHz) and
inmicrowaveamplifierssuchasradar
systems, spectrum analysers, etc.,
using SMD technology.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
Code: FG
emitter
collector
base
1
2
3
Fig.1 SOT89.
3
2
1
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
50
5
MAX.
15
100
1
UNIT
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
f
T
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
open base
V
mA
W
up to T
s
= 135
°
C (note 1)
I
C
=
70 mA; V
CE
=
10 V; T
j
= 25
°
C 20
I
C
=
75 mA; V
CE
=
10 V;
f = 500 MHz; T
j
= 25
°
C
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
R
s
= 60
;
f = 500 MHz;
T
amb
= 25
°
C
4
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
12
dB
F
noise figure
3.75
dB
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
20
15
3
100
150
1
150
150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
V
V
V
mA
mA
W
°
C
°
C
f
>
1 MHz
up to T
s
= 135
°
C (note 1)
Rev. 03 - 28 September 2007
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ149 | PNP 5 GHz wideband transistor |
| BFQ19 | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFQ19 | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFQ540 | NPN wideband transistor |
| BFQ540 | NPN wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ149,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP 15V 100mA 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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