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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ135 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CONNECTOR |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-172, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | BFQ135 |
1997 Nov 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6.5 GHz wideband transistor
BFQ135
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
.
2.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B); I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V; R
L
= 75
; T
amb
= 25
°
C;
V
p
= V
O
at d
im
=
60 dB; f
p
= 445.25 MHz;
V
q
= V
O
6 dB; f
q
= 453.25 MHz;
V
r
= V
O
6 dB; f
r
= 455.25 MHz;
measured at f
p
+ f
q
f
r
= 443.25 MHz.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B); I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V; R
L
= 75
; T
amb
= 25
°
C;
V
p
= V
O
at d
im
=
60 dB; f
p
= 795.25 MHz;
V
q
= V
O
6 dB; f
q
= 803.25 MHz;
V
r
= V
O
6 dB; f
r
= 805.25 MHz;
measured at f
p
+ f
q
f
r
= 793.25 MHz.
I
C
= 90 mA; V
CE
= 18 V; V
O
= 50 dBmV; T
amb
= 25
°
C;
f
p
= 50 MHz; f
q
= 400 MHz;
measured at f
p
+ f
q
= 450 MHz.
I
C
= 90 mA; V
CE
= 18 V; V
O
= 50 dBmV; T
amb
= 25
°
C;
f
p
= 250 MHz; f
q
= 560 MHz;
measured at f
p
+ f
q
= 810 MHz.
3.
4.
5.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
55
TYP.
MAX.
UNIT
μ
A
I
CBO
h
FE
collector cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 18 V
I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V;
T
amb
= 25
°
C
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 18 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 18 V; f = 1 MHz
I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 120 mA; V
CE
= 18 V;
f = 800 MHz; T
amb
= 25
°
C
note 2
note 3
note 4
note 5
50
C
c
C
e
C
re
f
T
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
1.8
5.5
1
6.5
1.2
pF
pF
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
(note 1)
17
dB
13.5
dB
V
O
output voltage
1.35
1.2
70
70
V
V
dB
dB
d
2
second order intermodulation
distortion
G
UM
10 log
S
2
1
S
11
–
1
S
22
–
--------------------------------------------------------------dB
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ136 | NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFQ151 | PNP video transistor |
| BFQ161 | CONNECTOR |
| BFQ162 | CANMS3126E16-8PF0 |
| BFQ166 | NPN video transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ136 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFQ149 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 5 GHz wideband transistor |
| BFQ149,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP 15V 100mA 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ149,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFQ149 Series 15 V 1 A 5 GHz SMD PNP Wideband Transistor SOT-89-3 |
| bfq149115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR PNP - 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF PNP 5GHZ SOT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR PNP -15V 5GHZ |
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