參數(shù)資料
型號： BFM520
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： Dual NPN wideband transistor
封裝： BFM520<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： BFM520
1996 Oct 08
5
NXP Semiconductors
Product specification
Dual NPN wideband transistor
BFM520
Fig.2 Power derating as a function of soldering
point temperature; typical values.
handbook, halfpage
0
50
100
200
1
0
MBG228
150
0.5
Ptot
(mW)
Ts (
o
C)
double loaded
single loaded
Fig.3
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MRA705
fT
(GHz)
IC (mA)
VCE = 6V
VCE = 3V
8
4
0
10
1
1
10
10
2
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
hFE
MRA703
0
50
100
150
200
IC (mA)
10
1
10
2
1
10
10
2
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
MRA704
0.4
0.2
0
0
4
8
12
Cre
(pF)
VCB (V)
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