參數(shù)資料
型號： BFG94
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
封裝： BFG94<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： BFG94
September 1995
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFG94
FEATURES
High power gain
Low noise figure
Low intermodulation distortion
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
NPN transistor mounted in a plastic
SOT223 envelope. It is primarily
intended for use in communication
and instrumentation systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
Fig.1 SOT223.
lfpage
4
1
2
3
MSB002 - 1
Top view
QUICK REFERENCE DATA
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP.
4
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
C
re
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
feedback capacitance
transition frequency
open emitter
open base
6
15
12
60
700
0.8
V
V
mA
mW
pF
GHz
up to T
s
= 140
C (note 1)
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 45 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 45 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 45 mA; V
CE
= 10 V;
d
im
=
60 dB; R
L
= 75
;
f = 800 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 45 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
G
UM
maximum unilateral power gain
11.5
13.5
dB
V
O
output voltage
500
mV
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
21.5
dBm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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