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參數(shù)資料
| 型號： | BFG67W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 8 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | BFG67W |
August 1995
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67W
BFG67W/X; BFG67W/XR
f = 1 GHz; V
CE
= 8 V.
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
20
10
0
10
20
MLB986
30
gain
(dB)
IC
GUM
Gmax
MSG
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V.
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLB987
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V.
Fig.9
Gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLB988
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
Fig.10 Gain as a function of frequency;
typical values.
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLB989
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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