參數(shù)資料
型號： BFG67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
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代理商： BFG67
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 5 V.
handbook, halfpage
0
80
40
0
20
40
MBB301
60
IC
FE
h
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= i
c
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
(pF)
0
0.6
0.4
0.2
4
MBB302
8
12
16
VCB (V)
0
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
°
; f = 2 GHz.
handbook, halfpage
T
0
10
20
40
8
6
2
0
4
MBB303
30
IC
(GHz)
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
IC (mA)
0
20
15
10
0
10
20
40
MBB304
30
5
MSG
GUM
max
G
Rev. 05 - 23 November 2007
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PDF描述
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