參數(shù)資料
型號： BFG591
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 7 GHz wideband transistor
封裝： BFG591<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： BFG591
1995 Sep 04
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG591
0
50
100
200
2.0
0
MGC791
150
2.5
3.0
0.5
1.0
1.5
Ptot
(W)
Ts (
o
C)
Fig.2 Power derating curve.
V
CE
= 12 V.
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current, typical values.
handbook, halfpage
hFE
0
10
2
50
100
150
200
MRA749
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
handbook, halfpage
0
0.8
0.4
0
4
16
MGC792
8
Cre
(pF)
VCB (V)
12
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage, typical values.
handbook, halfpage
fT
(GHz)
4
2
0
10
2
MGC793
10
IC (mA)
1
6
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current, typical values.
f = 1 GHz; V
CE
= 12 V.
相關PDF資料
PDF描述
BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor
BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG591,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG591,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG591 Series 7 GHz Wideband NPN Transistor - SOT223
BFG591 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223
BFG591/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF
BFG591115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 15V 7GHZ
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*