參數(shù)資料
型號(hào)： BFG590W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistors
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商： BFG590W
1998 Oct 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590W; BFG590W/X
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures
excellent reliability.
APPLICATIONS
MATV/CATV amplifiers and RF
communications subscriber
equipment in the GHz range
Ideally suitable for use in class-A,
(A)B and C amplifiers with either
pulsed or continuous drive.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor
in a 4-pin dual-emitter SOT343N
plastic package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG590W
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG590W/X
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG590W
BFG590W/X
T1
T2
Fig.1 SOT343N.
page
Top view
MBK523
2
1
3
4
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
90
0.7
5
13
MAX. UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage open base
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral
power gain
insertion power gain
open emitter
20
15
200
500
250
V
V
mA
mW
T
s
≤
85
°
C
I
C
= 70 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
pF
GHz
dB
|S
21
|
2
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
11
dB
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PDF描述
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