參數(shù)資料
型號(hào)： BFG540W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540W/XR<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG540W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
文件頁數(shù)： 6/17頁
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代理商： BFG540W
2000 May 23
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540W
BFG540W/X; BFG540W/XR
f = 900 MHz; V
CE
= 8 V.
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
20
10
0
50
MLC045
10
20
30
40
gain
(dB)
IC
MSG
GUM
Gmax
f = 2 GHz; V
CE
= 8 V.
Fig.8
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
20
10
0
50
MLC046
10
20
30
40
gain
(dB)
IC
GUM
Gmax
I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V.
Fig.9
Gain as a function of frequency; typical
values.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLC047
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
Fig.10 Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MLC048
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
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PDF描述
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BFG540W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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BFG540W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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