參數(shù)資料
型號(hào)： BFG520
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 振蕩器
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<wee
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大小： 316K
代理商： BFG520
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
S
1
S
11
–
2.
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; R
L
= 50
;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz;
measured at f
(2p
q)
= 898 MHz and f
(2q
p)
= 904 MHz.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B);
V
p
= V
o
; V
q
= V
o
6 dB; V
r
= V
o
6 dB;
f
p
= 795.25 MHz; f
q
= 803.25 MHz; f
r
= 805.25 MHz;
measured at f
(p
+
q
r)
= 793.25 MHz
3.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
collector cut-off current
DC current gain
emitter capacitance
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 6 V
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; R
L
= 50
;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
note 2
note 3
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; V
o
= 75 mV;
T
amb
= 25
°
C; f
(p
+
q)
= 810 MHz
120
1
0.6
0.3
9
50
250
nA
pF
pF
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral
power gain (note 1)
19
dB
13
dB
S
21
2
insertion power gain
17
18
dB
F
noise figure
1.1
1.6
dB
1.6
2.1
dB
1.9
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
output voltage
second order intermodulation
distortion
17
dBm
ITO
V
o
d
2
26
275
50
dBm
mV
dB
G
UM
10 log
2
1
S
22
–
--------------------------------------------------------------
dB.
=
Rev. 04 - 23 November 2007
4 of 14
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PDF描述
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