參數(shù)資料
型號： BFG520
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<wee
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代理商： BFG520
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
Fig.11 Intermodulation distortion as a function of
collector current.
handbook, halfpage
(dB)
0
50
70
60
50
40
30
10
20
30
IC (mA)
40
MEA975
Fig.12 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
handbook, halfpage
(dB)
0
50
70
60
50
40
30
10
20
30
IC (mA)
40
MEA974
Fig.13 Minimum noise figure and associated
available gain as functions of collector
current.
V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(dB)
0
1
2
5
0
5
10
Gass
(dB)
15
20
3
IC (mA)
4
MRA682
1
10
2
10
2000 MHz
1000 MHz
2000 MHz
1000 MHz
f = 900 MHz
Gass
Fmin
900 MHz
500 MHz
Fig.14 Minimum noise figure and associated
available gain as functions of frequency.
V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
2
1
2
5
0
5
10
Gass
(dB)
15
20
3
f (MHz)
4
MRA683
10
4
10
3
Gass
5 mA
Fmin
20 mA
20 mA
IC = 5 mA
Rev. 04 - 23 November 2007
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PDF描述
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