參數(shù)資料
型號(hào): BFG520
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN 9 GHz wideband transistor
封裝: BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG520/XR<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<wee
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代理商: BFG520
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
In Figs 7 to 10, G
UM
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain; G
max
= maximum available
gain.
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
IC (mA)
20
30
0
20
15
10
5
MRA674
MSG
GUM
Gmax
Fig.8 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
IC (mA)
20
30
0
20
15
10
5
MRA675
MSG
GUM
Gmax
Fig.9 Gain as a function of frequency.
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA676
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
MSG
GUM
Gmax
Fig.10 Gain as a function of frequency.
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA677
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
MSG
Gmax
GUM
Rev. 04 - 23 November 2007
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PDF描述
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