參數(shù)資料
型號(hào)： BFG480W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always
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代理商： BFG480W
1998 Oct 21
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
G
max
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
max
= MSG; see Figs 6, 7 and 8.
Z
S
is optimized for noise; Z
L
is optimized for gain.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
60
1.4
2.2
340
MAX.
70
100
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
I
C
= 50
A; I
E
= 0
I
C
= 5 mA; I
B
= 0
I
E
= 100
A; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; V
BE
= 0
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V; see Fig.3
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz;
see Fig.4
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
C; see Fig.5
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
C; see Figs 7 and 8
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
C; see Fig.8
I
C
= 8 mA; V
CE
= 2 V; f = 900 MHz;
S
=
opt
; see Fig.13
I
C
= 8 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
S
=
opt
; see Fig.13
Class-AB;
< 1 : 2; t
p
= 5 ms;
V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; f = 2 GHz
I
C
= 80 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Z
S
= Z
S opt
; Z
L
= Z
L opt
; note 2
14.5
4.5
1
40
V
V
V
nA
pF
pF
fF
f
T
transition frequency
21
GHz
G
max
maximum power gain; note 1
16
dB
insertion power gain
12
dB
F
noise figure
1.2
dB
1.8
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
20
dBm
ITO
28
dBm
S
21
2
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PDF描述
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