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參數(shù)資料
| 型號： | BFG425W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG425W/B<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BFG425W/C<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Al |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | BFG425W |
2010 Sep 15
8
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 25 GHz wideband transistor
BFG425W
Fig.12 Common emitter output reflection coefficient (S
22
); typical values.
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V; Z
o
= 50
handbook, full pagewidth
MGG692
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 MHz
3 GHz
Noise data
V
CE
= 2 V; typical values.
f
(MHz)
I
C
(mA)
F
min
(dB)
mag
angle
r
n
(
)
900
1
2
4
10
15
20
25
30
1
2
4
10
15
20
25
30
0.7
0.8
1
1.4
1.6
1.9
2.1
2.3
1.3
1.2
1.2
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
0.67
0.48
0.28
0.02
0.11
0.19
0.25
0.29
0.56
0.43
0.22
0.06
0.13
0.17
0.22
0.27
19.1
17.8
11.7
63.9
162.4
165.5
166.3
166.5
57.5
57.2
60.8
137.4
162.1
155.5
152.2
150.8
0.40
0.27
0.24
0.19
0.18
0.18
0.19
0.19
0.36
0.25
0.18
0.19
0.20
0.20
0.21
0.25
2000
Fig.13 Minimum noise figure as a function of the
collector current; typical values.
(1) V
CE
= 2 V; f = 2 GHz.
(2) V
CE
= 2 V; f = 900 MHz.
handbook, halfpage
0
10
20
30
MGG688
1
0
2
IC (mA)
Fmin
(dB)
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG480W | NPN wideband transistor |
| BFG480W | NPN wideband transistor |
| BFG480W | NPN wideband transistor |
| BFG480W | NPN wideband transistor |
| BFG520W | NPN 9 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG425W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 4.5V 25GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG425W@115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
| BFG425W115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R |
| BFG480 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband transistor |
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