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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG424F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | NPN 25 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG424F<SOT343F (DFP4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/14頁(yè) |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | BFG424F |
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BFG424F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 13 September 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BFG424F
NPN 25 GHz wideband transistor
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
G
p(max)
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
p(max)
= Maximum Stable Gain (MSG), see
Figure 8
.
[2]
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BFG424F
[1]
* = p: made in Hong Kong.
h
FE
DC current gain
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
C
V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
50
80
120
C
CBS
collector-base
capacitance
transition frequency
-
102
-
fF
f
T
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 25 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 2 V;
f = 2 GHz;
S
=
opt
-
25
-
GHz
G
p(max)
maximum power gain
[2]
-
23
-
dB
NF
noise figure
-
1.2
-
dB
Table 1.
Symbol
Quick reference data
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Pinning
Description
emitter
base
Simplified outline
Symbol
3
4
emitter
collector
1
2
3
4
mbb159
4
1, 3
2
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface mounted flat pack package; reverse
pinning; 4 leads
Version
SOT343F
BFG424F
Marking
Marking code
[1]
NE*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG425W | NPN 25 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG424F T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG424F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG424F115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 |
| BFG424W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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