參數(shù)資料
型號： BFG410W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
封裝： BFG410W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BFG410W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
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代理商： BFG410W
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Oct 29
1998 Mar 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG410W
NPN 22 GHz wideband transistor
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG410W,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG410W Series 4.5 V 54 mW 22 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT343R
BFG410W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 10mA 54mW 50 22GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG424F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 25 GHz wideband transistor
BFG424F T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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