參數(shù)資料
型號(hào)： BFG325
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 14 GHz wideband transistor
封裝： BFG325/XR<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
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代理商： BFG325
BFG325_XR
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
2 of 13
NXP Semiconductors
BFG325/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
G
max
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
max
= MSG, see
Figure 4
.
[2]
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
4
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BFG325/XR
[1]
* = p: made in Hong Kong.
G
max
maximum power gain
[2]
I
C
= 15 mA; V
CE
= 3 V;
f = 1.8 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 3 V;
f = 1.8 GHz; T
amb
= 25
C;
Z
S
= Z
L
= 50
s
=
opt
; I
C
= 3 mA;
V
CE
= 3 V; f = 2 GHz
-
18.3
-
dB
s
21
2
insertion power gain
-
14
-
dB
NF
noise figure
-
1.1
-
dB
Table 1.
Symbol Parameter
Quick reference data
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Pinning
Description
collector
emitter
base
emitter
Simplified outline
Symbol
2
1
4
3
sym086
1
2, 4
3
Ordering information
Package
Name
SC-61AA plastic surface mounted package; reverse pinning;
4 leads
Description
Version
SOT143R
BFG325/XR
Marking codes
Marking code
[1]
S2*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG325/XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325/XR,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG325W/XR NPN 14GHz wideband transistor
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