參數(shù)資料
型號(hào)： BFG198
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 振蕩器
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG198<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大小： 293K
代理商： BFG198
1995 Sep 12
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
DESCRIPTION
NPN planar epitaxial transistor in a
plastic SOT223 envelope, intended
for wideband amplifier applications.
The device features a high gain and
excellent output voltage capabilities.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
Fig.1 SOT223.
fpage
4
1
2
3
MSB002 - 1
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
open emitter
open base
40
90
8
20
10
100
1
V
V
mA
W
up to T
s
= 135
C (note 1)
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; T
j
= 25
C
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; f = 500 MHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; f = 800 MHz;
T
amb
= 25
C
d
im
=
60 dB; I
C
= 70 mA; V
CE
= 8 V;
R
L
= 75
; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 793.25 MHz
GHz
G
UM
maximum unilateral power
gain
18
dB
15
dB
V
o
output voltage
700
mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
10
2.5
100
1
+150
175
V
V
V
mA
W
C
C
up to T
s
= 135
C (note 1)
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