參數(shù)資料
型號(hào)： BFG197W
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 10V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 343
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大小： 804K
代理商： BFG197W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG197 NPN 7 GHz wideband transistor
BFG25X NPN 5GHz wideband transistor(NPN 5G赫茲 寬帶晶體管)
BFG520XR NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管)
BFG621 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFG67W NPN 8 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG197W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/XR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
BFG198 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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