參數(shù)資料
      型號: BFG197A/XR
      廠商: NXP SEMICONDUCTORS
      元件分類: 小信號晶體管
      英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
      封裝: PLASTIC PACKAGE-4
      文件頁數(shù): 1/13頁
      文件大?。?/td> 114K
      代理商: BFG197A/XR
      DATA SHEET
      Product specication
      Supersedes data of November 1992
      File under discrete semiconductors, SC14
      1995 Sep 13
      DISCRETE SEMICONDUCTORS
      BFG197; BFG197/X; BFG197/XR
      NPN 7 GHz wideband transistor
      相關(guān)PDF資料
      PDF描述
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      參數(shù)描述
      BFG197W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
      BFG197W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
      BFG197W/XR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
      BFG198 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor
      BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel