參數(shù)資料
型號： BF994
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel dual-gate MOS-FET
中文描述： N溝道雙柵場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： BF994
July 1993
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF994S
LIMITING VALUES
In according with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
D(AV)
I
G1-S
I
G2-S
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
average drain current
gate 1-source current
gate 2-source current
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
65
20
30
30
±
10
±
10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
up to T
amb
= 60
°
C; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
100
MGE792
100
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and the Thermal characteristics
1.
Device mounted on a ceramic substrate of 8
×
10
×
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
460
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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