參數(shù)資料
型號: BF959RL1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 20V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至226AA
文件頁數(shù): 1/4頁
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代理商: BF959RL1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
October, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BF959/D
BF959
VHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
20
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
3.0
Vdc
Collector Current – Continuous
100
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to
+150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
R
θ
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance,
Junction to Case
R
θ
JC
83.3
°
C/W
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
BF959
TO–92
http://onsemi.com
TO–92
CASE 29
STYLE 21
5000 Units/Box
BF959ZL1
TO–92
2000/Ammo Pack
COLLECTOR
1
3
BASE
2
EMITTER
BF959RL1
TO–92
2000 Units/Box
MARKING DIAGRAM
BF
959
YWW
Y
W
= Year
= Work Week
3
2
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF959ZL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA
BF963 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103
BF964SA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR
BF964SB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR
BF964 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF959RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF959-UV1/3 功能描述:紫外線燈 9mm X 59mm UV 365 nm RoHS:否 制造商:JKL Components 封裝:Bulk
BF959ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF959ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF960 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE