參數(shù)資料
型號(hào): BF901R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: PLASTIC, SOT-143R, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商: BF901R
November 1992
3
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
BF901; BF901R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Device mounted on an FR4 printboard.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
D-G2
I
D
±
I
G1-S
±
I
G2-S
P
tot
drain-source voltage
drain-gate 2 voltage
DC drain current
gate 1-source current
gate 2-source current
total power dissipation
BF901
BF901R
storage temperature
junction temperature
12
6
30
10
10
V
V
mA
mA
mA
up to T
amb
= 50
°
C (note 1)
up to T
amb
= 40
°
C (note 1)
65
200
200
150
150
mW
mW
°
C
°
C
T
stg
T
j
SYMBOL
PARAMETER
THERMAL RESISTANCE
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient (note 1)
BF901
BF901R
500 K/W
550 K/W
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
0
120
MBB756
150
Ptot
(mW)
Tamb
°
C)
BF901R
BF901
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF960 N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE
BFC505 NPN wideband cascode transistor
BFC520 KPSE 21C 21#16 SKT RECP
BFG10X UHF power transistor
BFG91 NPN 6 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF901RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF901T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF904 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET DUAL GATE N CH RF SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, DUAL GATE, N CH, RF, SOT-143
BF904 T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel