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參數(shù)資料
| 型號： | BF822S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 250V五（巴西）總裁| 25mA電流一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | BF822S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF820 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BF820 | Small Signal Transistors (NPN) |
| BF821S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
| BF823S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
| BF821 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF822T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BF822W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high-voltage transistors |
| BF823 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BF823 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF823,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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