參數(shù)資料
型號(hào): BF821S
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五(巴西)總裁| 25mA電流一(c)| SOT - 23封裝
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大小: 301K
代理商: BF821S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF823S TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF821 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BF821 Small Signal Transistors (PNP)
BF845 Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BF871 NPN high-voltage transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF821T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
BF822 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PS NPN transistor,BF822 0.05A Ic 20Vce
BF822 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF822,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bf822215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 250V 50MA S