型號(hào): | BF821S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五(巴西)總裁| 25mA電流一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大小: | 301K |
代理商: | BF821S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BF823S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
BF821 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BF821 | Small Signal Transistors (PNP) |
BF845 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
BF871 | NPN high-voltage transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF821T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
BF822 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PS NPN transistor,BF822 0.05A Ic 20Vce |
BF822 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BF822,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
bf822215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 250V 50MA S |