參數(shù)資料
型號： BF820S
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 25mA電流一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 305K
代理商： BF820S
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PDF描述
BF822S TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF820 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BF820 Small Signal Transistors (NPN)
BF821S TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF823S TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF820T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
BF820W 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN High-Voltage Transistor
BF820W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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