參數(shù)資料
型號： BF820
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)
中文描述： 小信號晶體管（NPN）的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 305K
代理商： BF820
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PDF描述
BF821S TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF823S TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF821 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BF821 Small Signal Transistors (PNP)
BF845 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF820 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF820 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
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