型號: | BF721T3 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
中文描述: | 250 的低電流運算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 301K |
代理商: | BF721T3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BF721 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
BF747W | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
BF747 | NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管) |
BF763AMO | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
BF763 | NPN 2 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF721TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BF721TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BF722 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage) |
BF722,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BF722115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 250V 0.05A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BJT HIGH VOLT NPN 250V 100 |