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參數(shù)資料
| 型號： | BF591 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN high-voltage transistors |
| 中文描述： | 0.15 A, 170 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | BF591 |
1997 Jul 02
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BF591; BF593
PACKAGE OUTLINE
UNIT
bp
D
E
1
L1
L2
(1)
max
L
c
c1
E
P
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.8
0.6
0.65
0.5
0.56
0.46
8.6
8.4
10.1
9.9
10.4
10.0
2.54
13.3
12.2
e1
5.08
e
HE
24.2
23.8
2.4
2.0
3.8
3.6
P1
3.9
3.7
0.25
1.7
1.5
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
2.5
SOT128B
TO-202
97-02-28
A
c
1
D
E
L1
L2
L
bp
c
E1
P
HE
Q
A
P1
4.6
4.4
Plastic single-ended leaded (through hole) package; with cooling fin, mountable to heatsink,
1 mounting hole; 3 leads (in-line)
SOT128B
e
e1
1
2
3
0
5
10 mm
scale
w
M
Note
1. Plastic flash allowed within this zone
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF593 | NPN high-voltage transistors |
| BF606A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92 |
| BF657 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
| BF658 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
| BF659 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF593 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high-voltage transistors |
| BF594 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92VAR |
| BF595 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92VAR |
| BF596 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92 |
| BF597 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92 |
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