- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369459 > BF4935P TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BF4935P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 350V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至226AA |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | BF4935P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF493SP | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BF492 | PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| BF493 | PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| BF494 | NPN medium frequency transistors |
| BF494A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF493S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF493S/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistor PNP |
| BF493SG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF493SP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF493SPSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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