參數(shù)資料
型號(hào)： BF458
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistors
中文描述： 0.1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BF458
1999 Apr 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BF458; BF459
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
104
10
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
BF458
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V; T
j
= 150
°
C
50
5
nA
μ
A
I
CBO
collector cut-off current
BF459
I
E
= 0; V
CB
= 250 V
I
E
= 0; V
CB
= 250 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 30 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA; I
B
= 6 mA
26
50
5
100
1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation
voltage
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
V
C
c
C
re
f
T
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
CE
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
90
4.5
3.5
pF
pF
MHz
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