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參數(shù)資料
| 型號： | BF245C |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封裝： | BF245C<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | BF245C |
1996 Jul 30
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B; BF245C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Common source; T
amb
= 25
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
3
TYP.
MAX.
6.5
UNIT
C
is
C
rs
C
os
g
is
g
os
y
fs
input capacitance
reverse transfer capacitance
output capacitance
input conductance
output conductance
forward transfer admittance
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; g
fs
= 0.7 of its
value at 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 100 MHz;
R
G
= 1 k
(common source);
input tuned to minimum noise
4
1.1
1.6
250
40
6
1.4
25
700
pF
pF
pF
S
S
mS
mS
mS
S
MHz
y
rs
y
os
f
gfs
reverse transfer admittance
output admittance
cut-off frequency
F
noise figure
1.5
dB
handbook, halfpage
IGSS
(nA)
10
3
10
2
10
1
1
150
50
0
MGE785
100
typ
Tj (
°
C)
Fig.2
Gate leakage current as a function of
junction temperature; typical values.
V
DS
= 0; V
GS
=
20 V.
Fig.3
Transfer characteristics for BF245A;
typical values.
handbook, halfpage
(mA)
VGS (V)
0
4
0
2
MGE789
5
4
3
2
1
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF510 | N-channel silicon FET |
| BF511 | N-channel silicon FET |
| BF512 | N-channel silicon FET |
| BF513 | N-channel silicon FET |
| BF545A | N-channel FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF245C,112 | 功能描述:射頻JFET晶體管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF245C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| BF245C_D26Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| BF245C_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| BF245C_D74Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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