參數(shù)資料
型號： BF1212WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1212WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BF1212WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Alwa
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 429K
代理商： BF1212WR
2003 Nov 14
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1212; BF1212R; BF1212WR
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.39
6.76
13.40
19.86
26.46
32.73
38.83
44.75
50.51
56.18
61.64
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.66
3.30
6.62
9.92
13.30
16.56
19.77
22.78
25.77
28.72
31.77
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.990
0.988
0.983
0.974
0.969
0.958
0.947
0.936
0.924
0.910
0.896
3.288
3.280
3.261
3.218
3.205
3.141
3.086
3.017
2.949
2.870
2.785
176.5
173.0
166.1
159.0
152.6
145.9
139.5
133.1
126.9
120.5
114.7
0.0005
0.0011
0.0021
0.0030
0.0039
0.0045
0.0049
0.0051
0.0051
0.0049
0.0045
86.9
85.6
81.2
77.5
74.6
72.4
70.9
69.5
69.9
69.8
72.7
0.990
0.990
0.991
0.991
0.994
0.994
0.993
0.991
0.981
0.984
0.980
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
0.9
1.1
0.695
0.634
13.87
30.30
28.5
32.85
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PDF描述
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BF1214/L,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel
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