參數(shù)資料
型號(hào)： BF1212
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1212<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 13/16頁(yè)
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代理商： BF1212
2003 Nov 14
13
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1212; BF1212R; BF1212WR
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT343R
D
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
X
2
1
4
3
Plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT343R
w
M
B
97-05-21
06-03-16
bp
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
e1
A
e
y
b1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1212 N-channel dual-gate MOSFET
BF1212R N-channel dual-gate MOSFET
BF1212WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1212R N-channel dual-gate MOSFET
BF1212WR N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1212,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-1212-03SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF-1212-03SV-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF-1212-12SV 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:CONNECTOR - Bulk
BF-1212-12SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
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